专利技术 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司和中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合申请了一项名为"存储器结构及其形成方法"的专利，公开号为CN120379259A，申请日期为2024年01月 [1] - 专利技术采用过渡金属硫化物作为沟道材料，石墨烯材料作为浮栅，可减小短沟道效应和漏电问题，提升存储器性能并降低存储面积 [1] - 存储器结构包括衬底、沟道结构、擦除栅、浮栅、控制栅结构、字线栅和位线等组件 [1] 公司背景 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年，注册资本10亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 该公司对外投资1家企业，参与招投标52次，拥有专利5000条，行政许可226个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年，注册资本24.4亿美元，同样从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 上海公司对外投资4家企业，参与招投标127次，拥有专利5000条，商标150条，行政许可451个 [2]