海思进军碳化硅功率器件领域 - 华为旗下海思技术有限公司正式推出两款1200V工规SiC单管产品ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4，面向工业高温高压场景 [1] - 两款产品采用TO-247-4封装，具备优良导通和快速开关特性，最高结温均为175°C [3] - ASO1K2H035M1T4在25°C时导通电阻35mΩ，175°C时57mΩ - ASO1K2H020M1T4在25°C时导通电阻20mΩ，175°C时30mΩ 华为碳化硅产业链布局 - 自2019年通过哈勃科技投资全面布局碳化硅产业链 [3] - 衬底环节投资山东天岳先进(持股10%)和天科合达 [4] - 2024年天科合达全球导电型SiC衬底市场份额17.3%排名第二 - 天岳先进市场份额17.1%排名第三 - 天岳先进2025Q1营收4.1亿元，研发投入4494万元(占营收11.02%) - 外延片环节投资东莞天域半导体 [5] - 2025年前5个月营收2.57亿元，净利润951.5万元 - 2024年营收5.20亿元，净亏损5.00亿元 - 2023年营收11.71亿元，净利润9588.2万元 - 器件设计与制造环节投资东微半导体、瀚薪科技 [6] - 电力电子解决方案环节投资英飞源、杰华特微电子、易冲半导体 [6] 碳化硅技术应用成果 - 在DriveONE电驱平台中采用碳化硅器件，MCU效率突破99.5%行业上限 [7] - 截至2024年底高压碳化硅动力总成累计发货量超130万套 [8]