中芯国际新专利技术 - 公司申请名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号CN120417514A，申请日期为2024年01月 [1] - 专利技术涉及半导体结构，包括第一衬底、隔离沟槽和电容结构，电容结构包含反射电极层和介电层 [1] - 该技术通过将电容结构置于隔离沟槽内，减小了垂直于衬底方向的尺寸，提高了光电传感器的集成度 [1] - 反射电极层实现了相邻感光区之间的光学隔离，增强了传感器性能 [1] 中芯国际公司概况 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年，注册资本10亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 北京公司对外投资1家企业，参与招投标52次，拥有专利5000条，行政许可226个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年，注册资本24.4亿美元，同属电子设备制造业 [2] - 上海公司对外投资4家企业，参与招投标127次，拥有专利5000条，商标150条，行政许可451个 [2]