专利技术 - 中芯国际北京和上海公司联合申请名为"半导体结构及其形成方法"的专利 公开号CN120413548A 申请日期为2024年01月 [1] - 专利技术涉及半导体结构的两部分同步制作工艺 包括第一部(含第一金属层/介质层/第一电互连结构)和第二部(含器件结构/第二金属层/第二电互连结构)的键合连接 [1] - 技术优势包括：通过分离制作释放介质层热应力 避免影响器件结构 同时允许加厚电容隔离器节点层以提升耐压性能 [1] 公司概况 - 中芯国际北京公司成立于2002年 注册资本10亿美元 对外投资1家企业 参与招投标52次 持有专利5000项 行政许可226项 [2] - 中芯国际上海公司成立于2000年 注册资本24.4亿美元 对外投资4家企业 参与招投标127次 持有专利5000项 商标150个 行政许可451项 [2] 研发能力 - 两家公司合计持有专利数量达10000项 显示强大的技术积累 [2] - 新专利技术聚焦半导体制造工艺优化 体现公司在先进制程领域的持续创新 [1]