技术突破 - 公司自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备通过验收并交付国内特色工艺客户 [1] - 设备攻克步进硬板的非真空完全贴合、喷胶与薄胶压印、压印胶残余层控制等核心技术难题 [1] - 设备支持线宽小于10nm的纳米压印光刻工艺 超越佳能同类产品FPA-1200NZ2C的14nm线宽水平 [1] - 配备自主研发的模板面型控制系统、纳米压印光刻胶喷墨算法系统等核心模块 [1] 成本优势 - 纳米压印技术相比传统EUV光刻技术可降低60%设备投资成本 [1] - 耗电量控制在EUV技术的10% [1] 应用领域 - 技术特别适合存储芯片制造领域的重复性图形结构 [1] - 设备已完成存储芯片、硅基微显等多个领域的研发验证 [1] 行业意义 - 打破国外厂商在高端半导体装备制造领域的技术垄断 [1] - 佳能同类产品此前对中国禁运 此次突破打破技术封锁 [2] - 为国内半导体产业链自主可控提供关键装备支撑 [2] - 在存储芯片等特定领域展现替代潜力 助力国内厂商提升市场竞争力 [2]