专利技术 - 公司申请了一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号CN120456589A，申请日期为2024年02月 [1] - 专利涉及半导体结构包括衬底、鳍部、隔离层、栅介质层和栅极层等关键组件 [1] - 技术特点包括第一区和第二区不同工作电压设计，以及不同高度的有效鳍部结构 [1] - 第二栅介质层的厚度小于第一栅介质层的厚度，显示公司在半导体制造工艺上的创新 [1] 公司概况 - 公司成立于2000年，位于上海市，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 企业注册资本达244000万美元 [2] - 公司对外投资了4家企业，参与招投标项目127次 [2] - 公司拥有商标信息150条，专利信息5000条，行政许可451个 [2]