中国存储产业本土化进展 - 中国存储厂商首次在大规模Flash与DRAM量产中全面导入自研本土EDA工具 补齐产业自主化最关键设计环节[1][2] - 国内公司已开发全流程EDA系统 支援DRAM及NAND Flash量产设计平台 推动形成晶片自制+本土EDA供应链[2] - 华大九天建立多个全流程EDA工具 涵盖类比/记忆体/射频与平板显示电路 具备本土替代能力[2] 存储技术突破与效能优化 - 华为UCM技术使First Token生成延迟缩短90% 模型上下文记忆范围扩展10倍 整体吞吐率提升22倍[3] - UCM技术通过数据分级存储策略 将高频数据存HBM 中期数据存DRAM 低频数据存SSD 最大化硬件效能[3] - 该创新补偿中国本土AI硬件缺陷 为本土厂家争取时间窗口 在硬件受限情况下释放最大潜能[3] 国产存储厂商发展态势 - 长鑫存储2024年产能同比增长近50% 按比特出货量市占率从Q1的6%提升至年末8%[5] - 长鑫存储加速向DDR5/LPDDR5过渡 DDR5份额从Q1的1%升至7% LPDDR5从1%升至9%[5] - 长江存储实现294层3D NAND量产 推进300层开发 采用自研Xtacking4.0与CBA架构并导入PLC技术[5] - 长鑫存储规划2025年底至2026年间量产HBM3记忆体 正式进入高频宽记忆体市场[5] 产业影响与战略意义 - 长鑫存储与长江存储崛起带动国内存储产业技术升级 提升中国在全球半导体产业链地位[4] - 存储企业壮大降低对进口存储芯片依赖 保障国家信息安全 形成科技维护国家安全的能力[4] - 国产存储产业链涉及精智达/兆易创新/华大九天/神工股份/上海新阳/江波龙/佰维存储等企业[5]