第三代半导体产业概述 - 第三代半导体以碳化硅和氮化镓为代表 具有宽禁带特性 在新能源汽车 新能源并网 高速轨道交通等领域有广阔应用前景[1] - 江苏将第三代半导体列为优先发展的未来产业首位 产业发展水平国内前列 代表性企业数量全国第一 关键材料与生产设备国际领先[1] 江苏产业布局与优势 - 江苏形成以南京 苏州 无锡为核心区 南通 扬州 徐州协同发展的产业格局 2024年营业收入约50亿元[5] - 初步建成完整产业链 涵盖设备与辅材—衬底与外延—器件制造—下游应用[5] - 产业规模和技术创新水平稳居国内第一梯队 徐州天科合达产品覆盖2-8英寸碳化硅晶片 卓远半导体拥有国内首条大英寸金刚石基片研发线[4] 核心技术突破 - 国家第三代半导体技术创新中心（南京）平台研制国内首款万伏级SiC MOSFET和20kV SiC IGBT 应用于国际首个35kV全SiC变电站[3] - 江苏第三代半导体研究院突破6英寸氮化镓材料技术 同质Micro-LED可见光通信刷新两项世界纪录 完成照明通信显示一体化芯片研发[5] - 无锡邑文科技自主研发12英寸CCP介质层刻蚀机和CVD化学气相沉积设备 进入12英寸半导体核心工艺圈 设备订单排产至2026年初[2] 创新生态建设 - 全省第三代半导体发明专利申请量6593件 授权量2448件 分别占全国总量16.02%和14.02% 居全国前列[5] - 南京大学 东南大学等5所高校设立集成电路学院 南京大学郑有炓院士在Ⅲ族氮化物异质结构领域取得国际领先成果[5] - 依托中科院苏州纳米所 中电科55所 江苏第三代半导体研究院等平台 形成全产业链关键技术攻关能力[5] 资本支持体系 - 无锡设立规模50亿元第三代半导体专项基金 支持碳化硅/氮化镓器件企业研发[6] - 省战略性新兴产业母基金支持的英诺赛科于2024年在港交所上市 成为港股"第三代半导体第一股"[6] 发展挑战 - 高端人才集中于高校院所 企业对顶尖科学家吸引力不足 柔性引才政策与科学家时间需求存在矛盾[8] - 核心芯片对外依存度高 新能源汽车电驱功率器件部分依赖进口 存在高端禁运 低质高价 超长货期等问题[8] - 国际技术禁运和封锁对国内发展形成阻碍[8] 未来发展方向 - 强化碳化硅器件研发投入 推动产业集聚和上下游协同 加快科技成果转化[8] - 健全产学研合作机制 建设国家第三代半导体技术创新中心 完善技术创新网络和政策体系[9] - 通过3-5年高质量发展 形成更明显的协同发展态势 扩大产业规模并拓展应用市场[9]