行业技术演进趋势 - 半导体进步是工艺制程和材料进步的共同结果，第三代半导体因其禁带宽度极宽、高导热率等优势在新能源汽车和消费电子发展中发挥重要作用 [1] - 在AI时代，曾被视作“过渡技术”的第二代III-V族化合物半导体磷化铟正重新受到重视，上演“逆袭” [1] - 英伟达下一代800V HVDC架构采用纳微半导体的GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅技术 [1] 市场需求与公司动态 - 光芯片龙头Lumentum在2025年第二季度创下EML出货收入新高，并向超大规模客户部署200G通道速率的EML激光器，该产品基于其磷化铟平台 [2] - Lumentum正大力投资磷化铟制造产能，以满足未来几年预期激增的需求 [3] - 日本半导体材料商JX金属计划投资15亿日元（约0.73亿元人民币），将其磷化铟衬底产能提高约20%，以应对AI数据中心数据传输需求增长 [6] - JX金属是全球少数几家磷化铟衬底制造商之一，预计未来需求将持续走高，并考虑进一步投资 [6] 磷化铟材料特性与应用 - 磷化铟是由磷和铟组成的二元半导体材料，是仅次于硅之外最成熟的半导体材料之一 [7] - 磷化铟广泛应用于生产射频器件、光模块、LED、激光器、探测器、传感器等器件 [7] - 磷化铟具有饱和电子漂移速度高、发光损耗低的特点，高度符合AI高速计算需求，能实现数据高速传输，成为光芯片上游关键原料 [8] - 光芯片以光子为载体，通过光波导、调制器等组件实现超高速、低功耗及大带宽信息处理，核心材料体系以硅基与磷化铟协同为主 [8] - Ⅲ-Ⅴ族材料如磷化铟是直接带隙材料，具备高发光效率，是高性能激光器的核心材料 [8] 市场规模与预测 - 据Yole预测，2019年全球磷化铟衬底市场规模为0.89亿美元，2026年预计达2.02亿美元，2019-2026年复合增长率为12.42% [8] - 在AI算力提升、5G通信及数据中心发展拉动下，磷化铟衬底有望蓬勃发展 [8] 全球供应格局与技术进展 - 中国是全球最大的磷化铟供应国，占比约六成，之后依次为德国、日本与美国 [9] - 磷化铟衬底前三大供应商是日本住友电工、美国AXT及法国II-VI，其中AXT市占率高达六至七成，主要生产基地位于中国 [9] - 九峰山实验室成功开发出6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达国际领先水平，实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用 [9] A股相关公司进展 - 云南锗业控股子公司鑫耀公司已量产2-4英寸磷化铟晶片，并对更大尺寸产品进行研发，已有少量样片产出 [10] - 海特高新参股公司华芯科技的磷化铟、砷化镓等产品已实现量产并持续供货 [10] - 三安光电的磷化铟外延生长、芯片制造及封测工艺国内领先，已具备量产60寸InP光芯片的工艺能力 [10] - 锡业股份参股的云南锡铟实验室有限公司正开展高纯磷和高纯铟相关研发工作，旨在为磷化铟等高端化合物半导体材料制备提供核心原料保障 [10]