美国撤销三星和SK海力士在华工厂VEU资格 - 美国政府决定撤销三星电子和SK海力士中国工厂的"已验证最终用户（VEU）"资格 从2025年1月开始 每批设备发货都需要单独获得许可[1][18] 存储芯片市场格局与限制措施 - 存储芯片分为NAND闪存（用于U盘、SD卡、移动硬盘）和DRAM动态随机存储（用于手机、电脑、服务器内存）[6] - 2022年10月美国出口管制新规对DRAM和NAND实施限制 导致三星和SK海力士在中国利润下跌90%[6] - 全球前五大半导体设备公司占市场70%以上份额 大多为美国制造[3] - 三星西安工厂投资260亿美元 占全球NAND产量40% SK海力士无锡DRAM工厂和大连NAND工厂将受新规影响[12][18] 韩国企业在存储芯片领域的领先地位 - 2024年全球半导体市场规模达6260亿美元 同比增长18% 三星凭借存储芯片从英特尔夺回第一 SK海力士排名第四[9] - 2025年第二季度SK海力士以21.8万亿韩元销售额首次超越三星 成为全球存储市场（含DRAM和NAND）销售额冠军[12] - 三星和SK海力士垄断全球90%的HBM内存市场 HBM是DRAM的高端细分产品 用于AI领域满足海量数据处理需求[14][16] - SK海力士在HBM领域领先 独占9成高端市场 2023年以来HBM3价格上涨5倍多[16] 美国限制措施的战略意图 - 美国商务部明确表示"不允许扩大生产和技术升级" 阻止三星和SK海力士在中国升级扩产[20] - 措施旨在防止HBM内存技术转移到中国生产 同时拖慢中国HBM研发进度[21] - 美国通过打压韩国企业使美光受益 并限制中国AI崛起 包括禁止英伟达出售先进AI芯片给中国[21] - 三星和SK海力士对中国市场依赖度高 限制措施将导致其营收面临重大压力[21] 中国半导体产业应对与国产化进展 - 长江存储正深化与本土设备制造商合作 包括中微公司（蚀刻设备）、北方华创（沉积和蚀刻设备）、拓荆科技（沉积设备） 加速替换外国设备[21] - 中国HBM2e已有公司宣布量产 HBM3在先进封装与良率上仍有挑战 预计2026年送样 量产需再晚一年半载[25] - 国产HBM供应链正在建立 包括DRAM颗粒、逻辑die和先进封装 技术突围重点在HBM3e[25] - 美国限制措施将加速中国国产替代进程 推动HBM内存技术突破[22][24]