混合键合，被推到了台前。 在Yole最新的预测中，混合键合是先进封装中最陡峭的增长曲线。三星、SK 海力士都表示，到HBM 5时就会用上混合键合技术。 目前，韩美半导体宣称砸1000亿韩元开发下一代混合键合技术；LG 电子瞄准HBM应用的混合键合设备；国内拓荆科技将混合键合设备视为第二增长曲 线。 混合键合的时代到了。 01先进封装的转变 封装，已经成为驱动摩尔定律发展的重要因素，先进封装更是如此。 一般来说，封装模式的发展，伴随着键合方式的改变，键合发展的主线是实现更高密度的互联和更小的封装尺寸。 热压键合（TCB），由英特尔和ASMPT公司联合开发，在2014年导入量产。其核心创新在于 "局部加热"。 从顶部逐片对芯片施加热与压力实现键合，并且在芯片和基板热压键合的时候，不是加热整个基板，而是对芯片及其焊球加热，从而减小翘曲风险，兼顾 了可靠性与封装效率，恰好契合了高带宽存储器（HBM）这类高密度堆叠产品的需求。 正因如此，目前三星、SK 海力士、美光等巨头的 HBM 产品，均将 TCB 作为标配封装方案，使其稳稳占据当前先进封装的"主流席位"。 混合键合，最大的特点就是无凸块连接。尽管TCB 技术解决了 ...