合作概述 - 赛晶半导体与湖南三安于2025年9月12日签署为期五年的全面战略合作协议 [1] - 合作聚焦于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体技术的研发与产业化应用 [1] - 合作旨在构建自主可控、高效协同的功率半导体产业生态 [3] 合作机制与领域 - 建立高层定期会晤、专项工作小组和信息共享平台的长效合作机制 [2] - 合作涵盖产能保障、价格竞争力、技术支持、市场协同、供应链优化、可持续发展及国际合作七大核心领域 [2] - 湖南三安将优先保障赛晶半导体需求并共同制定产能扩展计划 [2] 合作优势与协同效应 - 湖南三安拥有碳化硅全产业链垂直整合制造能力，其8英寸碳化硅芯片产线已实现通线 [1][3] - 赛晶半导体在芯片设计、模块封装及市场应用端拥有深厚技术积累 [1][3] - 双方优势互补，将围绕高温封装材料、低电感模块设计、双面散热等关键技术开展联合攻关 [3] 目标应用与行业影响 - 联合开发的新一代SiC模块将应用于新能源汽车、光伏储能、工业电机等领域 [3] - 合作旨在提升功率模块在性能、可靠性和功率密度方面的表现 [3] - 此次合作被视为中国宽禁带半导体产业在自主可控与全球竞争中的关键突破 [3]