重大技术突破 - 天岳先进在大尺寸衬底材料实现微管降至0 核心参数大幅优化 支持器件应用[3] - 碳化硅IGBT功率密度成本已低于硅基IGBT[3] - 中电化合物半导体8英寸碳化硅外延片性能超越国际头部厂商 浓度/厚度均匀性达2% 缺陷密度低一个数量级[3] - 中微公司等离子体刻蚀设备覆盖绝大部分刻蚀应用 快速开发薄膜沉积设备 解决高深宽比刻蚀等关键工艺问题[3] - 华润微工控+汽车功率半导体产品占比超50% 并进入算力服务器和人形机器人领域[4] 国产替代进程 - 半导体设备国产化率持续提升加速 中微公司在刻蚀/薄膜/量检测全面布局支持国产化[5] - 量检测设备仍是国产化率最低环节之一 处于早期阶段但未来将加快替代[5][6] - 拓荆科技在中国薄膜沉积设备市场占有率约10%-12% 国产化空间仍大[6] - 碳化硅衬底已全部国产化 6英寸/8英寸主要由国内供应 天岳先进供应海外大量8英寸衬底[6] - 8英寸硅片基本国产化 12英寸硅片国产化率约50% 电子特气领域将打赢先进制程国产替代攻坚战[6] - 电镀液/光刻胶国产化率低 艾森股份计划2-3年完成先进封装光刻胶产品线布局并超越国际厂商份额[6] 全球竞争格局 - 中国半导体消费和生产领先但多领域由外企主导甚至寡头垄断[7] - 天岳先进8英寸衬底全球份额领先 产品获博世/英飞凌/东芝国际认可 12英寸已推出[7] - 中微公司技术及市占率处国内领先国际先进水平[7] - 国内厂商占据功率半导体中低端主要份额 高端仍由海外主导但国产替代边界逐步扩大[7] - 研发迭代速度较海外快 中微新产品研发周期从3-5年缩短至2年内[8] - 贴近市场客户优势明显 国内需求旺盛且响应支持力度优于海外[9] - 研发投入绝对金额较国际厂商有差距 海外头部设备商年投入约20-30亿美元[9] - 产业规模/产品系列化/高端性能与全球头部存在差距 海外厂商具全球化生态壁垒[9] 国际化赶超路径 - 华润微深耕国内定制化产品与客户深度协同 同时加速国际化布局完善全球销售网络[11] - 中船特气通过科技创新/国际化产业布局/跨境并购三方面发力[11] - 中科飞测定位为全球客户提供国产量检测设备 通过海外工厂建立口碑后与国际巨头直接竞争[11][12] 制程升级应对策略 - 中科飞测通过培育国产供应商联合攻关零部件 加强自主研发团队建设应对尖端零部件和人才挑战[13] - 材料企业需与上下游形成合力强化产业链配套 艾森股份借助国内产业链集群聚焦电镀液/光刻胶领域突围[13] 未来技术趋势 - 碳化硅衬底行业以大尺寸抢占速度为关键 天岳先进全球首发12英寸衬底[14] - 芯片结构3D化趋势明确 中微重点布局高深宽比刻蚀/原子层刻蚀/原子水平沉积等设备[14] - 拓荆科技将覆盖全制程领域PECVD/ALD及沟槽填充CVD等薄膜工艺 向3D堆叠延展[14] - AI发展提升芯片性能要求 显著拓展半导体设备增长空间 集成电路制造端受益下游需求拉动[15] - 最先进AI芯片对应的材料装备需求将持续长期增长[15] 并购整合趋势 - 量检测设备行业集中和资源整合是成熟发展自然趋势[16] - 国际设备巨头通过外延并购实现快速成长 并购整合对降本增效/避免重复投入形成良性竞争至关重要[16] - 并购需关注从财务并表转向产业链协同 打通上下游断点形成1+1>2生态 同时需政策适配性调整支持跨所有制/跨国并购[17] - 尽调需发现潜在风险 并购后注重战略文化整合产生协同效应[17] - 中微公司通过内生外延孵化合作形成平台化效应 支持上市公司整合与阶梯溢价收购[17] - 天岳先进关注能弥补短板且在技术管理客户赋能的标的 艾森股份完成马来西亚电子化学品公司并购并建设东南亚制造中心[18] 龙头企业战略规划 - 艾森股份目标电镀材料领域全球前五 光刻胶领域2028-2030年成为全球五到十名主流公司[19] - 中船特气目标实现先进制程特气完全国产替代 境外销售收入占比超50%[19] - 天岳先进聚焦碳化硅成本低于硅器件引发的应用爆发及光学AI眼镜材料机遇 做好产品技术产能准备[20] - 中电化合物半导体目标成为全球SiC外延片排头兵[21] - 华润微"十五五"期间重点布局人形机器人/AI服务器等高增赛道 设立功率IC/传感器专项事业部培育为主要成长引擎[21] - 拓荆科技目标成为平台型半导体设备公司 三到五年实现薄膜沉积和三维键合设备全品类覆盖 国内市占率超50% 五年内进入东南亚/日本等国际市场[21] - 中科飞测目标具备与国际巨头全面竞争能力 满足所有国内客户量检测需求[21] - 中微公司未来五年产品市场覆盖率从30%增至60% 力争成为全球第一梯队半导体设备公司[22]