技术突破与产品特性 - 公司宣布在短距离光学互连技术方面取得突破 展示了下一代2D VCSEL和光电二极管阵列 [1] - 新产品基于成熟的100G PAM4多模VCSEL和PD平台 采用高密度2D阵列架构 规格为1.6T 850 nm 32x50G NRZ [2] - 该技术旨在替代铜链路 实现最佳并行度 具备低功耗 低延迟和成本效益优势 [2] - 该阵列最适合扩展型AI网络中的“慢速且宽泛”互连 满足现代数据中心激增的数据流量需求 [1] 战略定位与行业应用 - 该技术旨在支持向近封装光学和共封装光学的过渡 加速超大规模数据中心中AI/ML工作负载的部署 [2] - 高密度多模2D VCSEL和PD阵列在实现并行化 高能效设计和灵活架构方面迈出重要一步 将塑造未来AI和机器学习网络 [3] - 作为实现高性能AI/ML扩展链路的第一步 公司计划于2026年推出1060 nm背面发射翻转芯片VCSEL/PD阵列变体 [4] 公司背景与市场地位 - 公司是全球光子学领域的领导者 为数据中心 通信和工业市场的行业领导者提供世界领先的技术 [5] - 公司成立于1971年 业务遍及20多个国家 拥有业内最广泛 最深入的技术栈 无与伦比的供应链弹性和全球规模 [6]