全球新增一座8英寸SiC外延片厂房竣工,预计今年起量产
搜狐财经·2025-10-02 15:50

新生产设施投资 - 公司投资309亿日元(约15.01亿人民币)在山形县东根市建成一座全新的碳化硅外延片生产大楼,建筑面积为5832平方米 [1] - 新厂房专注于生产8英寸(200mm)SiC外延片,旨在通过更大尺寸晶圆提高芯片产出量并降低成本 [3] - 新设施已于2024年9月动工,计划于2026年正式投入运营 [3] 产能扩张与政府支持 - 该项目是日本政府依据《经济安全保障推进法》认定的关键物资供应保障计划的一部分,公司最高可获得约103亿日元(约5亿元人民币)的政府补助金 [5] - 公司计划在2027年4月将SiC衬底年产能提升至11.7万片(折合6英寸计算) [5] - 公司计划在2027年5月将SiC外延片年产能提升至28.8万片(折合6英寸计算) [5] 技术合作与联盟 - 公司联合全球半导体供应链中的27家企业成立了"JOINT3"共创联盟,专注于开发面板级有机中介层技术 [6] - 公司将在茨城县结城市的工厂设立"先进面板级中介层中心(APLIC)",该中心计划于2026年开始运营 [6] - 公司与横滨国立大学签署全面合作协议,共同研发下一代半导体材料、先进封装技术(如3D封装)及可持续制造工艺 [6] 市场应用与需求 - 新设施生产的8英寸SiC外延片旨在满足电动汽车、可再生能源及工业设备市场日益增长的需求 [3] - "JOINT3"联盟的开发重点是为了应对生成式AI和自动驾驶汽车对高性能半导体封装日益增长的需求 [6]