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存储将迎“超级周期”?多国芯片巨头上调产品报价
西部数据西部数据(US:WDC) 智通财经网·2025-10-05 12:02

存储芯片价格动态 - 全球存储芯片价格在过去半年持续上涨,最近一个月涨价消息越发密集 [1] - 三星电子计划在第四季度将部分DRAM价格上调15%至30%,NAND闪存价格上调5%至10% [1] - 群联恢复报价,NAND闪存控制芯片价格涨幅约10% [1] - 西部数据通知客户将逐步提高所有HDD产品的价格 [1] - 闪迪宣布将面向所有客户的NAND产品价格上调10%以上 [1] - 2025年第三季度,NAND Flash市场综合价格指数上涨5%,DRAM市场综合价格指数上涨19.2% [3] - 2025年9月单月,NAND Flash市场综合价格指数上涨4.7%,DRAM市场综合价格指数上涨2.6% [3] - TrendForce预计25Q4 NAND Flash价格将上涨5-10% [3] 人工智能驱动的行业需求 - 人工智能热潮下,存储芯片行业预计迎来一个"超级周期" [2] - OpenAI与三星电子、SK海力士达成初步供货协议,将为"星际之门"项目供应存储芯片 [2] - OpenAI计划在2029年订购90万片存储芯片晶圆 [2] - SK海力士称此需求预测是目前全球高带宽存储芯片(HBM)产能的两倍多 [2] - 在DRAM和HBM供给紧张的背景下,NAND有望成为AI时代新一轮主流存储选择 [2] - 三星电子已着手开展使用NAND闪存的HBF高带宽闪存产品的前期开发工作 [2] NAND闪存供需前景 - 摩根士丹利预计,到2026年NAND闪存将出现高达8%的供应缺口 [3] - 群联电子董事长预期2026年起NAND闪存将严重短缺,且未来十年供应都将紧张 [3] - 目前SSD与HDD在大容量存储中的占比为2:8,由于SSD新增容量不足导致供应紧张 [3] - 中信证券认为,后续数据中心eSSD涨价幅度有望超市场预期 [3] - 2026年大容量QLC SSD有望出现爆发性增长 [3] 存储芯片技术趋势 - 存储芯片涨价主要涉及DRAM与NAND两种类型 [1] - DRAM是一种易失性存储器,读取速度快但断电后数据消失,HBM属于此类型 [1] - NAND属于非易失性存储,断电后数据能稳定留存,SSD、HDD属于此列 [1] - HBF是一种类似HBM的新型存储器架构,但使用NAND闪存代替DRAM [2] - 当前人工智能的瓶颈在于内存带宽和容量,速度较慢但容量更高的NAND闪存可以作为补充 [2]