技术突破与核心成果 - 复旦大学科研团队在全球率先实现首颗全功能二维-硅基混合架构闪存芯片，攻克了新型二维信息器件工程化的关键难题 [1] - 该芯片研发基于“原子芯片”系统集成框架，采用片上二维全栈集成工艺，通过模块化方案将二维存储电路与成熟CMOS电路分离制造，最后通过微米尺度通孔实现高密度单片互连集成 [8] - 此次成果是二维应用工程化的里程碑，为新一代颠覆性器件缩短应用化周期提供了范例 [8] 性能优势与发展历程 - 团队于2025年4月提出的“破晓”二维闪存原型器件实现了400皮秒的超高速非易失存储，是迄今最快的半导体电荷存储技术 [2] - 团队自2018年起在《自然·纳米》、《自然·电子学》等期刊上多次发表二维闪存器件速度突破的进展，并于2021年开始同步推进二维超快闪存的集成验证 [2] - 二维半导体材料具有原子级厚度（仅1–3个原子），其独特的属性使其被国际公认为应对摩尔定律物理极限挑战的关键 [1][8] 产业化路径与战略 - 团队创新性地采用“从10到0”的逆向思维，从未来应用的终点倒推技术发展路径，选择将颠覆性器件直接融入成熟的硅基CMOS工艺平台，以大幅压缩产业化进程 [5] - 通过将二维超快闪存器件充分融入主流的CMOS传统半导体产线，既能加速新技术孵化，也能为现有CMOS技术带来全新突破 [6] - 存储器被评估为二维电子器件最有可能率先实现产业化的类型，因其对材料质量和工艺制造要求相对较低，且性能指标远超现有产业化技术 [5] 未来规划与应用前景 - 团队下一步计划建立实验基地，与相关机构合作建立自主主导的工程化项目 [9] - 产业化时间表预计为未来3~5年，目标是将芯片容量提升至百万比特级别，为后续交由产业界利用大规模产线实现首批商业化产品奠定基础 [9] - 此项技术有望满足AI时代对数据存储既要高容量又需极快访问速度的极高要求，可能产生颠覆性的应用场景 [3][5]