中化新网讯 复旦大学在二维电子器件工程化道路上再获里程碑式突破。该校集成芯片与系统全国重点 实验室集成电路与微纳电子创新学院周鹏—刘春森团队研发的长缨(CY-01)架构，将二维超快闪存器 件"破晓(PoX)"与成熟硅基CMOS工艺深度融合，研发出全球首颗二维—硅基混合架构芯片。相关研究 成果于10月8日在《自然》上发表。 实现二维材料与CMOS衬底紧密贴合 如何将二维材料与CMOS集成又不破坏其性能，是团队需要攻克的核心难题。CMOS电路表面有很多元 件，如同一个微缩城市，高低起伏不平;而二维半导体材料厚度是原子级别，如蝉翼般纤薄而脆弱，如 果直接将二维材料铺在CMOS电路上，材料很容易破裂，更不用谈实现电路性能。 这也是为什么二维半导体研究者目前只能在极为平整的原生衬底上加工材料。一种解决思路是将CMOS 的衬底"磨平"以适应二维材料，但要实现原子级平整并不现实。"我们没有必要去改变CMOS，而需要 去适应它。"团队决定从本身就具有柔性的二维材料入手，通过模块化的集成方案，先将二维存储电路 与成熟CMOS电路分离制造，再与CMOS控制电路通过高密度单片互连技术(微米尺度通孔)实现完整芯 片集成。 这项核心工 ...