800 VDC电源架构的行业趋势与优势 - 英伟达将支持800 VDC电源架构，为人工智能数据中心带来突破性进展，可实现更高效率、更高功率密度，同时降低能耗需求并减少二氧化碳排放 [1] - 机架电压从48V提升到800V可使电流降低16倍，从而大幅减少I²R损耗并最大限度降低对铜材的需求 [1] - 基于48V电压的传统人工智能系统效率低下，超过45%的总功耗耗费在散热上，未来搭载超过500块GPU的机架若沿用旧式设计将无空间容纳计算单元 [1] - 800 VDC架构是支持系统从千瓦级跃升至兆瓦级的解决方案 [1] 氮化镓技术在800 VDC架构中的关键作用 - 满足800 VDC架构的功率密度要求，电源开关频率必须提升至近1MHz，相比现有机架式电源最高300kHz的典型开关频率，提升至1MHz可使磁芯尺寸缩减约50% [2] - 在800V输入侧，英诺赛科氮化镓与碳化硅相比在每个开关半周期内可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗，从而实现整体功耗降低10% [2] - 在54V输出端，仅需16颗英诺赛科氮化镓器件即可实现与32颗硅MOSFET相同的导通损耗，将功率密度提升一倍，并使驱动损耗降低90% [2] - 在低压电源转换阶段采用氮化镓材料可将开关损耗降低70%，并在相同体积内实现功率输出提升40% [2] - 基于氮化镓的低压功率级可扩展以支持更高功率的GPU型号，提升动态响应并降低电路板上的电容成本 [2] 英诺赛科的公司优势与产品竞争力 - 公司是业内唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V的全链路解决方案 [4] - 公司是唯一有能力为所有转换阶段提供全GaN功率解决方案的供应商 [4] - 公司第三代器件已通过严苛的加速应力测试，包括加长的2000小时动态HTOL测试、高温(175°C)验证及大样本失效验证，其数据中心级产品的高性能工作寿命超过20年 [4] - 公司第三代氮化镓器件具备卓越的快速开关特性、高效率、高功率密度及优异可靠性 [4] - 整合800 VDC电源架构与英诺赛科氮化镓技术，人工智能数据中心将实现从千瓦级机架到兆瓦级机架的飞跃 [4]