行业周期性质转变 - 当前AI驱动的存储超级周期本质是从“周期”到“结构”的转变，不同于以往由供给端减产引发的短期反弹 [1] - AI技术发展带动数据中心大容量存储需求高速增长，叠加智能手机、智能汽车等智能终端渗透率提升，共同推动存储器技术创新与市场扩容 [1] 存储芯片价格动态 - NAND与DRAM价格普遍上涨，四季度存储价格持续上行 [2][3] - 1Tb Flash Wafer价格在一个半月内累计涨近15%，512Gb Flash Wafer价格涨超20% [3] - 行业SSD和内存条全面涨价，服务器内存条DDR4 RDIMM 16GB3200报价涨66.67%至150.00美元 [3] - 预估第四季度整体一般型DRAM价格季增8-13%，加计HBM后涨幅扩大至13-18% [3] - 预估NAND Flash第四季各类产品合约价全面上涨，平均涨幅达5-10% [3] 市场竞争格局变化 - 国际巨头如三星、美光、海力士加速向HBM、DDR5、LPDDR5等高端产品迁移，放弃或减少利基型产品生产 [4] - 行业竞争格局变化为国内存储芯片厂商带来份额提升的机会，国产存储芯片从利基市场到主流应用均获全球客户青睐 [4] 国内厂商发展态势 - AI大模型训练与数据中心建设成为核心驱动力，国产存储芯片在企业级市场快速渗透，如长江存储企业级SSD已用于阿里云、腾讯云等主流云服务商 [5] - 在消费级市场，国产存储芯片凭借性价比优势快速抢占份额 [5] - 四季度国内存储公司有望受益于“价格回升+国产替代”双重驱动，需求、订单及开工情况预计呈现稳健复苏 [5] - 长江存储正推进三期扩产计划，目标2028年三期达产后总产能达30万片/月，占据全球15%的NAND市场份额 [5] - 长鑫存储DRAM产量预计达273万片/年，成为全球第四大DRAM厂商，其二期工厂于2025年Q4试生产，新增产能8万片/月，聚焦15nm以下先进制程 [5] 技术范式革新 - “以存代算”作为一种颠覆性技术范式应运而生，旨在突破算力瓶颈与“存储墙”制约 [6] - 该技术将AI推理过程中的矢量数据从DRAM和HBM显存迁移至大容量、高性价比的SSD介质，实现存储层从内存向SSD的战略扩展 [6] - 其核心价值在于降低首Token时延、提升推理吞吐量，并大幅优化端到端的推理成本，带动SSD需求增速高于传统曲线 [6]