行业核心观点 - AI推动存储需求持续增长,同时海外原厂产能受限,预计25Q4存储涨价趋势将持续,看好本轮存储大周期 [2][3][4][5][6] 价格趋势 - 9月以来存储迎来新一轮涨价,闪迪宣布将NAND产品价格上调10%以上,西部数据计划提高所有HDD产品价格 [2] - 三星电子计划在第四季度将部分DRAM价格上调15%至30%,NAND闪存价格上调5%至10% [2] - 预计25Q4整体一般型DRAM价格将季增8-13%,若加计HBM,涨幅将扩大至13-18% [2] - 预计25Q4 NAND Flash各类产品合约价将全面上涨,平均涨幅达5-10% [2] 供给状况 - 受NAND Flash需求疲软及价格压力影响,美光、三星、SK海力士等海外原厂启动减产计划,主要通过降低2025年稼动率和延后制程升级实现 [1][3] - 自24Q3开始,原厂将部分利润率偏低的传统DRAM产能转向DDR5、HBM等更高利润产品 [3] - 海外原厂已宣布停产DDR4、LPDDR4X等旧制程DRAM产品,尽管对特定客户维持部分产能,但仍存在产能短缺问题 [3] 需求驱动 - AI推理应用推升实时存取、高速处理海量数据需求,促使HDD与SSD供应商积极扩大供给大容量存储产品 [4] - 全球主要HDD制造商近年未规划扩大产线,无法满足AI刺激的突发性巨量储存需求,NL HDD交期已从数周急剧延长至52周以上 [4] - 北美市场因HDD供应紧缺,部分客户将采购需求转向企业级存储,服务器NAND市场需求明显增加 [5] - Server DRAM因云端服务供应商建置动能回温,DDR5产品需求持续增强,2026年CSP的DRAM采购需求有望大幅成长 [5] - HBM需求持续扩张,预计至2030年前其市场将保持33%的年复合增长率,届时营收将超过DRAM市场总营收的50% [5]
AI驱动需求增长,看好本轮存储周期持续性 | 投研报告
中国能源网·2025-10-21 10:23