存储芯片市场涨价趋势 - 主流DDR4 16G内存条价格从去年低点的200多元飙升至突破500元，涨幅超过100% [1] - 四季度DRAM与NAND Flash价格预计将继续上涨，此波行情或将持续至年底 [1] - 四季度整体一般型DRAM价格预计单季度增长8%-13%，若加上HBM，涨幅将扩大至13%-18%；NAND Flash合约价预计全面上涨，平均涨幅达5%-10% [2] 市场表现与反应 - A股存储芯片板块领涨，太极实业涨停，雅创电子涨超14%，香农芯创跟涨逾8% [1] - 9月以来A股存储器板块29只个股平均上涨23%，德明利上涨100%，江波龙、聚辰股份分别上涨90%、75.5% [6] - 三星电子、SK海力士、美光股价年内分别涨逾80%、175%、145% [6] 涨价核心驱动因素 - 人工智能浪潮催生高阶存储需求，海外巨头将产能加速转向DDR5、HBM等高利润产品，导致传统DDR4等产品出现供给缺口 [1][3] - 海外大厂战略性放弃DDR3、DDR4等老旧产品生产，造成全球范围内供给不足，而需求未减，导致阶段性供需不匹配 [3] - 存储原厂将部分利润率偏低的传统DRAM产能转至DDR5、HBM等更高利润产品，是价格变动的主要因素 [3][4] 对上市公司业绩影响 - 澜起科技表示其DDR5内存接口及模组配套芯片价格对DDR5本身价格波动不敏感，价格上涨主要来自产品迭代和技术升级 [6] - 澜起科技上半年营业收入与归母净利润分别同比增长58.17%、95.41%，DDR5相关芯片出货量显著增长 [7] - 兆易创新预计传统存储利基产品缺货涨价情形将持续，高性能存储产品毛利率可达到70%左右 [7] - 香农芯创表示涨价对业绩的提振取决于公司是否具备低价库存，公司通常只赚取经销业务相对应的毛利 [7]