挑战台积电?报道:三星2nm芯片良率获积极进展,目标年底70%,量产目标上调
华尔街见闻·2025-10-21 20:50

技术进展与目标 - 三星电子将其2纳米GAA工艺的年底良率目标从50%显著上调至70% [1][2] - 公司高管对2纳米GAA技术的“卓越进展”表达强烈信心,并暗示希望凭借此技术争夺全球芯片代工市场领先地位 [1][2] - 2纳米GAA晶圆的量产已于9月下旬开始,该技术首先应用于即将推出的Exynos 2600芯片,早期内部测试结果显示强大性能 [1][3] 战略布局与行业影响 - 三星的技术路线图清晰,已完成第二代2纳米GAA工艺的基础设计,第三代实现方案预计在两年内完成开发 [3] - 此项技术进展被视为三星扭转其代工业务困境、增强在尖端芯片制造领域竞争力的关键一步 [1] - SK海力士公司总裁认为该技术将成为韩国半导体产业的一个“关键转折点”,并指出行业面临追赶台积电、技术难题及人力资源等挑战,需要巨大政府支持 [1][3] 市场竞争背景 - 过去数年,三星的芯片代工业务市场份额远落后于台积电 [1][2] - 若此次2纳米技术突破能成功转化为大规模、高良率生产,将对投资者和整个半导体供应链产生深远影响 [1]