市场动态与价格调整 - 人工智能引发内存超级周期全面加速，全球主要供应商已开始大幅提价，三星电子与SK海力士在第四季度将DRAM和NAND闪存价格上调最高达30% [1] - 价格上涨是内存巨头对当前市场供需失衡的直接回应，标志着价格上涨周期已正式开启 [1] - 高带宽内存（HBM）的生产挤占了标准DRAM的产能，美光首席商务官指出HBM消耗的晶圆产能是标准DRAM的三倍以上 [2] 供应链策略转变 - 由于对供应短缺的担忧加剧，采购模式发生结构性转变，部分美国电子公司及数据中心运营商正与三星和SK海力士洽谈长达2至3年的中长期供应合同，以锁定未来供应 [1][2] - 传统上企业倾向于签订季度或年度合同以保持灵活性，但面对持续的DRAM短缺预期，客户正日益转向提前锁定额外供应 [2] 需求驱动因素 - 本轮内存超级周期的驱动力呈现全方位增长，包括企业在AI服务器领域的巨额新投资、通用服务器的内存升级以及智能手机和PC等设备上端侧AI功能的普及 [1][3] - 市场普遍预计此次由AI驱动的供应短缺将比以往任何繁荣周期都更长、更强，短缺状况可能持续三到四年 [1] - AI投资重心从数据训练转向推理应用，推高了市场对通用DRAM的需求，因为其在处理速度和功耗方面具备优势，进一步加剧了供不应求的局面 [3] 产品与技术趋势 - 高带宽内存（HBM）因利润丰厚，内存制造商有充分动力优先生产，分析预计明年出货的12层HBM4产品售价为每片500美元，较目前约300美元的12层HBM3e价格高出60%以上 [2]