核心技术特点 - 采用模拟与数字电路融合的混合设计，兼具两者优势，确保在电流需求急剧变化时电压稳定供应 [1] - 采用先进的数模转换方法与局部接地生成器技术，两者协同工作，实现卓越的电压稳定性和噪声抑制 [1] - 在电流快速波动达99毫安的情况下，芯片电压纹波仅为54毫伏，并能在667纳秒内恢复正常电压 [1] - 在10千赫频率、100毫安负载下，电源抑制比达到-53.7分贝，几乎完全滤除该频率范围内的电源噪声 [1] 物理尺寸与工艺 - 无需外接电容，采用28纳米CMOS工艺制造，芯片面积仅为0.032平方毫米，大大节省空间 [2] - 传统混合LDO依赖大型电容平滑数模转换，新设计通过无缝数模转换过程缩小体积并提高能效 [2] 能效表现 - 具有极低的待机功耗，仅在突发功率需求时激活工作，进一步提升系统能效 [2] - 综合性能指标仅为0.029皮秒，创下新纪录 [2] 应用领域与意义 - 超小型混合LDO是芯片内部的"稳压心脏"，可为不同功能模块提供干净、稳定电源 [1] - 为人工智能、6G通信等领域的高性能片上系统提供了新方案 [1] - 例如当智能手机启动大型游戏时，能确保稳定电力输送并有效阻止电源中不必要的噪声 [1]