技术突破 - 北京大学彭海琳教授团队首次利用冷冻电子断层扫描技术原位解析光刻胶在显影液中的微观三维结构、界面分布与缠结行为 [1] - 该技术合成出分辨率优于5纳米的微观三维“全景照片” 克服了传统技术无法原位、三维、高分辨率观测的三大痛点 [1] 行业影响 - 光刻胶在显影液中的微观行为长期是“黑匣子” 工业界工艺优化依赖反复试错 成为制约7纳米及以下先进制程良率提升的关键瓶颈之一 [1] - 该研究指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案 有助于将电路图案更精确地转移到硅片上 直接影响芯片良率 [1] - 深入掌握液体中聚合物结构与微观行为 可推动先进制程中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制与良率提升 [2] 研究意义 - “显影”是光刻核心步骤 通过显影液溶解光刻胶曝光区域以转移电路图案 光刻胶在显影液中的运动直接决定电路图案的精确度 [1] - 冷冻电子断层扫描技术为在原子/分子尺度上解析各类液相界面反应提供了强大工具 [2]