简单理解，光刻是利用光和光刻胶之间的化学反应，采用深紫外光、极紫外光等将掩膜上的图案转移到硅晶圆上。光刻胶显影是通过显影液溶解曝光后光刻 胶可溶解区域，形成纳米级电路图案，这一步骤直接影响集成电路的尺寸精度。然而，光刻胶在显影液中的行为长期是"黑匣子"，产业界在进行工艺优化时 只能反复试错，阻碍了大批量制造时的技术优化，成为制约7纳米及更先进制程良率提升的瓶颈之一。 "随着图案的特征尺寸接近光刻胶聚合物的轮廓长度，液膜内光刻胶分子的吸附和纠缠行为成为控制图案缺陷形成的关键因素，最终决定半导体器件的稳定 性和良率。"这篇名为《Cryo-electron tomography reconstructs polymer in liquid film for fab-compatible lithography》（冷冻电子断层扫描重建液膜中的聚合物以 实现与半导体制造兼容的光刻技术）的论文称，然而，尽管经过数十年的研究，光刻胶在液膜以及在气液界面处的微观行为仍难以捉摸，导致产业界在控制 图案缺陷方面基本上是一个不断试错的过程。 研究者称，需要在极紫外光刻胶领域进行提前布局，追赶国际同行的步伐。 10月27日，多只光刻 ...