文章核心观点 - onsemi公司推出垂直氮化镓功率半导体技术 该技术为AI数据中心 电动汽车等能源密集型应用在功率密度 效率和坚固性方面设立了新基准 [1] 技术特性与优势 - 垂直氮化镓技术采用GaN-on-GaN设计 使电流垂直通过芯片 实现更高工作电压和更快开关频率 [1][7] - 该技术可将高端电源系统的损耗降低近50% 并使无源元件尺寸类似比例减小 [6] - 与市面横向GaN器件相比 垂直氮化镓器件尺寸减小约三倍 [6] - 技术可处理1200伏及以上的高电压 实现高频率下的大电流开关 [6] 技术研发与知识产权 - 技术由onsemi位于纽约锡拉丘兹的工厂研发和制造 [3] - 公司拥有覆盖垂直GaN技术基础工艺 器件设计 制造和系统创新的130多项全球专利 [3][8] 应用领域与市场潜力 - 技术适用于AI数据中心 可减少元件数量 提高800V DC-DC转换器功率密度 优化单机架成本 [9] - 应用于电动汽车领域 可实现更小 更轻 更高效的逆变器 从而增加电动汽车续航里程 [9] - 在可再生能源领域 提高太阳能和风能逆变器的电压处理能力 减少能量损失 [9] - 其他关键应用包括充电基础设施 储能系统 工业自动化以及航空航天 国防和安全领域 [9] 产品进展与关键效益 - 公司目前正向早期客户提供700伏和1200伏器件的样品 [8] - 技术关键效益包括更高功率密度 更高转换效率以及通过高频开关减小被动元件尺寸实现的更紧凑系统 [10]