全球芯片技术竞争格局 - 芯片技术竞争已从工艺扩展至全面性竞争，包括新材料、新技术等[1] - 硅基芯片技术日益接近物理极限，工艺提升幅度显著放缓，从早期每代提升三成降至近几代仅提升一成多[3] - 全球芯片制造巨头如台积电、Intel、三星在14纳米后转向等效工艺技术路径[3] 中国芯片技术的发展路径 - 中国在14纳米工艺后因难以获得EUV光刻机，面临巨大发展难度，EUV光刻机需10万多个部件及全球5000多家企业协作[5] - 公司积极发展先进芯片技术，在光子芯片、量子芯片领域与美国同属第一阵营[5] - 公司重点突破第三代芯片材料，以规避传统硅基芯片的技术瓶颈[5] 第三代芯片材料氮化镓的行业地位 - 在第三代芯片材料氮化镓领域，中国企业已取得全球领先地位[1] - 中国企业英诺赛科占据全球氮化镓材料市场30%份额，位居全球第一[7] - 其他主要竞争者包括美国企业Navitas（份额17%）、Power Integrations（份额15.2%）、EPC（份额13.5%）及欧洲企业英飞凌（份额11.2%）[7] 氮化镓材料的应用领域 - 氮化镓材料已广泛应用于手机充电器、新能源汽车、高铁等新兴科技行业[7] - 在军工技术领域，氮化镓可应用于雷达，将探测距离增加超过50%，并用于微波武器、电子对抗、防空系统及导弹制导[7] - 材料突破支撑了民用科技与军工技术的飞速发展[9] 中国在先进芯片材料的整体进展 - 除氮化镓外，公司在砷化镓、磷化铟、碳化硅等芯片材料方面均取得重大进展[9] - 新芯片材料的突破为公司诸多科技领域的飞跃提供了基础支撑[9]