合作核心内容 - MACOM与HRL实验室达成协议 获得HRL专有的40nm T3L GaN-on-SiC工艺技术的授权和制造权 [1] - 双方将合作快速将该专有半导体工艺从HRL工厂转移到MACOM的一家美国可信代工厂 [1] - MACOM将获得基于T3L工艺制造产品的独家授权 [1] 技术细节与优势 - T3L工艺采用专有的外延结构和先进的栅极设计 使其在毫米波频率下具有领先的性能和更高的可靠性 [2] - 该工艺非常适用于支持商业和国防应用 [2] - T3L是业界最先进的高频半导体工艺之一 [4] 技术开发背景 - T3L工艺由HRL在美国国防部副部长办公室的STARRY NITE项目和DARPA的DREaM项目下 以及HRL的额外资金支持下成熟起来 [3] - HRL由波音和通用汽车共同拥有 长期被公认为射频和微波GaN-on-SiC工艺技术研发领域的先驱 [2][6] 公司业务与影响 - MACOM为电信 工业与国防以及数据中心行业设计和制造高性能半导体产品 每年为超过6000家客户提供服务 [5] - 此次合作将使MACOM及其客户受益于T3L工艺的成果 预计将增强公司现有产品组合并加速其路线图的执行 [4] - 与MACOM的合作展示了HRL在开发和验证技术概念 并将其转化为生产方面的专业知识 [4]