国信证券指出，TrendForce预计4Q25一般型DRAM价格环增18%-23%，含HBM的整体DRAM价格环增23%-28%，预计涨幅较前次明显上调；预计4Q25 NAND Flash平均价环增5%-10%，存储进入持续涨价阶段，叠加手机、服务器市场打开国产化空间，我们认为国产存储厂商有望迎来量价齐升机遇期。 机构指出，坚定看好本轮存储上升周期没有变化，Q4存储涨价或超预期。本轮周期的重要变量是AI，是需求端爆发驱动的大周期！25年以来多模态模型和 AI应用的落地，亦还是用户数量和tokens的指数级增长，AI技术和产品底层的变革拉动了eSSD、HBM等AI存储需求开始集中爆发，下游CSP客户开始给出 未来需求的高指引，往后展望看好存储需求与tokens、推理、模型、应用数量等因素呈现正相关。同时因26年DRAM及NAND产能扩产有限，看好存储周期 至少延续到26年下半年。 截至2025年11月6日 09:39，上证科创板芯片指数强势上涨2.21%，成分股源杰科技上涨14.37%，盛科通信上涨4.34%，海光信息上涨3.92%，峰岹科技，佰维 存储等个股跟涨。科创芯片ETF博时(588990)上涨2.04 ...