文章核心观点 - 存储价格正全面上涨，数据中心建设动能回暖及AI服务器对存储要求的提升是核心驱动力，行业对25Q4及26年存储价格预期乐观 [1] 存储价格全面上涨 - 25Q4 DRAM价格涨幅预期上修，一般型DRAM价格预估涨幅从8-13%上修至18-23% [1] - DDR5价格因服务器建置动能回温及CSP厂商加单而稳健上扬，DDR4价格因原厂减产/转产导致供不应求持续攀升 [1] - 闪迪于25年9月宣布对所有渠道和消费者客户的产品价格调涨10%以上 [2] - 截至2025年10月29日，TLC闪存256Gb/512Gb/1Tb价格相比25年9月2日价格涨幅分别为16.7%/61.3%/27.0% [2] - 预计25Q4 NAND合约价有望全面上涨，平均涨幅达5-10% [2] AI服务器驱动存储创新大周期 - 数据中心扩建浪潮升温，服务器NAND和DRAM应用占比持续增长，成为全球存储市场增长核心引擎 [3] - AI数据中心对低功耗内存需求旺盛，存储厂商积极拓展相关应用，如英伟达新一代Grace CPU使用LPDDR5X将能效提高5倍 [3] - HBM是DRAM行业最核心的价值增长引擎，主要原厂26年均聚焦HBM产能扩张，导致传统DRAM新增产能有限 [3] - KVCache容量的增长已超过HBM承载上限，将其卸载到DRAM、SSD等成本更低、容量更充裕的内存层级成为业界核心策略 [4] - 由于HDD制造商未规划扩大产线，推理需求导致Nearline HDD严重缺货，云厂商开始考虑使用SSD补齐缺口，大容量QLC SSD出货可能于2026年出现爆发性增长 [4]