行业供需与价格动态 - 闪存龙头闪迪11月大幅调涨NAND闪存合约价格，涨幅高达50% [1] - 模组厂创见、宜鼎国际与宇瞻科技决定暂停出货并重新评估报价 [1] - DRAM内存缺货情况为30年以来最为严重 [1] - 三大原厂持续有限分配先进制程产能给高阶服务器DRAM和HBM，挤占一般消费级DRAM产能 [1] - 整体DRAM在第四季度有望继续上涨 [1] - 存储行业或持续面临供需偏紧状态，原厂有望提高资本开支以满足持续增长的存储需求 [2] AI驱动存储技术变革 - AI时代数据量从MB级迅速扩张至EB/ZB级，Sora 2等视频生成应用进一步加速增长 [1] - AI使得海量"冷数据"被频繁调用转为"温/热数据"，推动存储从HDD转向SSD/DRAM [1] - HDD供给受限、交期的延长，加速了SSD替代HDD [1] - 为打破"内存墙"对算力发展的制约，CBA+HBF应运而生 [2] - CBA技术显著提升单位面积存储密度并优化内部互连路径，已在DRAM、NAND下一代技术升级中全面应用 [2] - HBF借鉴HBM封装设计但用闪存替换部分DRAM堆栈，具备8-16倍存储容量和非易失性存储优势 [2] - HBF能够显著缓解AI数据中心在热管理和能源成本上的压力 [2] 产业链相关公司动态 - 国产龙头厂商合肥长鑫、长江存储加紧追赶脚步 [2] - 兆易创新NORFlash全球第二，自研DRAM拥有DDR3L、DDR4、LPDDR4多个产品型号，并规划LPDDR5小容量产品研发 [3] - 兆易创新MCU国内第一，已成功量产64个产品系列、超700款产品，实现全面覆盖 [3] - 佰维存储Mini SSD凭借技术突破与前瞻性设计成为《时代》年度最佳发明榜单中全球唯一上榜的存储产品 [3] 半导体设备受益前景 - 半导体设备有望受益于存储涨价的持续和AI需求的拉动 [2]