行业核心观点 - 中国电子束光刻系统行业正经历从“跟跑”到“并跑”的关键跨越，技术已实现0.6纳米分辨率突破，多光束并行技术产能达60片/小时 [1][7] - 2024年行业市场规模约为2.94亿元，同比增长59.78% [1][7] - 行业面临高端技术瓶颈，如EUV光刻胶国产化率不足1%，2纳米以下制程的邻近效应校正等挑战待解 [1][7] 技术定义与分类 - 电子束光刻系统（EBL）是一种以高能电子束为工具实现纳米级结构加工的核心设备，属于无掩模光刻技术 [2] - 系统核心原理是利用波长极短（<0.1nm）的聚焦电子束直接作用于光刻胶表面，具有超高分辨率（极限尺寸<10nm）和灵活直写等优势 [2] - 按扫描方式可分为光栅扫描和矢量扫描两大类 [2] 产业链结构 - 产业链上游包括高纯度石英玻璃、光刻胶、掩膜版等原材料，以及电子枪、真空系统等零部件 [3] - 产业链中游为电子束光刻系统生产制造环节 [3] - 产业链下游应用于半导体制造、量子器件制备、高频电子元件生产及科研领域 [3] 市场规模与驱动因素 - 下游集成电路市场需求旺盛，2025年前三季度中国集成电路产量为3818.9亿块，同比增长21.00% [7] - 2024年中国光刻胶行业市场规模约为221.64亿元，同比增长6.37% [5] - 5G通信、人工智能、物联网等新兴技术的发展推动了对高精度芯片的需求 [7] 重点企业及技术进展 - 安徽泽攸科技的ZEL304G机型实现≤1nm@15kV分辨率及50MHz扫描速度，设备国产化率超95% [9] - 浙江大学余杭量子研究院研发的“羲之”电子束光刻机实现0.6纳米精度与8纳米线宽，已应用于超导电路、量子点制备等领域 [11] - 泽攸科技电子束光刻机在2025年中标复旦大学，标志着国产系统取得重要技术突破 [8] 未来发展趋势 - 技术将聚焦0.6纳米以下分辨率突破与多光束并行技术迭代，目标将扫描速度提升至100MHz以上，产能向120片/小时突破 [11] - 市场需求扩展，将在量子芯片、第三代半导体、先进封装等领域迎来爆发式增长，形成“工业+科研”双轮驱动格局 [12] - 产业链将围绕“材料-设备-工艺”全链条自主可控展开布局，上游关键材料国产化率将不断提升 [14]