指数及成分股表现 - 截至13:42，上证科创板半导体材料设备主题指数下跌1.10% [1] - 成分股华海诚科领涨1.63%，中芯国际上涨1.23%，拓荆科技上涨1.01% [1] - 成分股沪硅产业领跌4.77%，有研硅下跌4.72%，金宏气体下跌4.24% [1] - 科创半导体ETF（588170）下跌0.95% [1] 行业重要事件 - 第二十二届中国国际半导体博览会（ICChina2025）将于11月23日至25日举行，主题为“凝芯聚力·链动未来” [1] 技术发展趋势 - AI服务器功耗高，数据中心需使用更高功率供电架构 [1] - 为应对高端AI运算，服务器供电系统各环节的效能和功率密度需进一步提高 [1] - SiC/GaN等第三代半导体材料具备高击穿电场、高迁移率特点，允许在更高温度和电压下运行，有助于降低能耗和成本 [1] - 头部厂商正持续推动SiC/GaN在AI数据中心领域应用 [1] - 在AI服务器及数据中心大功率供电需求提升趋势下，SiC/GaN有望得到更广泛应用 [1] 相关ETF产品信息 - 科创半导体ETF（588170）及其联接基金跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数 [2] - 指数囊括科创板中半导体设备（61%）和半导体材料（23%）细分领域公司 [2] - 半导体设备和材料行业是重要国产替代领域，具备国产化率较低、国产替代天花板较高属性 [2] - 行业受益于人工智能革命下的半导体需求扩张、科技重组并购浪潮、光刻机技术进展 [2] - 半导体材料ETF（562590）及其联接基金的指数中，半导体设备（61%）和半导体材料（21%）占比靠前，聚焦半导体上游 [2]