SK海力士正在大举扩张先进内存芯片产能，押注人工智能应用从训练转向推理带来的市场机遇。 同时，据华尔街见闻此前文章，SK海力士近期与英伟达完成HBM4供应谈判，成功将价格提升逾50%至 每颗500美元以上。据媒体报道，该公司已提前售罄明年产能，在HBM和通用DRAM市场均占据有利定 价地位。 业内人士预计，SK海力士明年设施投资额将轻松突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增 长。市场预测该公司明年营业利润有望超过70万亿韩元，创下历史新高。 尖端制程产能实现跨越式扩张 SK海力士的产能提升计划集中在最先进的1c DRAM技术节点。 报道指出，据行业消息人士透露，该公司计划明年在利川园区通过工艺升级新增14万片月产能，这被视 为"最低增幅"。部分业内人士表示，SK海力士也在考虑将月产能提高16万至17万片。 按照SK海力士目前每月平均50万片DRAM晶圆进料量计算，超过三分之一的产能将投入到先进的1c DRAM生产。 该公司已将1c DRAM的良率提升至80%以上，该制程主要用于制造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通 用DRAM产品。 这一激进的产能扩张计划显示SK海力士对AI驱动的内存需求持续 ...