行业周期分析 - 半导体周期按时间维度分为长周期(8-10年,需求周期)、中周期(4-6年,产能周期)和短周期(3-5个季度,库存周期),三种周期相互嵌套 [1] - 存储器是半导体中仅次于逻辑的第二大细分市场,其历史表现与整个半导体周期走势一致,但波动性大于整个行业 [1] - 每轮存储大周期(如08年、16年)的开启均由新兴技术推动产品升级和创新,催生新产品总量、渗透率和存储器价值量提升,AI驱动需求提升标志着新一轮存储大周期的起点 [1] AI驱动的存储需求增长 - 大模型引入思维链提示使LLM能分解复杂问题,提升推理能力与问题解决技能,推理时长增加提升Token消耗量,预计2025年几乎所有主流大模型都已内化思维链机制 [2] - 从文本向音视频的切换,存储单位从KB增长至TB乃至EB,多模态模型渗透率提升有望进一步推高存储需求 [2] - 大语言模型推理成本以指数级别下降,单美元可生成的token数量持续增长,成本降低有望带动应用爆发并拉动存储需求增长 [2] - KV Cache是Transformer架构中提升推理效率的关键性能优化机制,其显存占用随Token数量线性增长,优化效果与文本长度正相关,成为提升大模型推理效率的关键一环 [2] 存储原厂资本开支与产能状况 - 2025年DRAM资本支出预计为537亿美元,2026年预计增长至613亿美元,同比增长约14% [1][3] - 2025年NAND Flash资本支出预计为211亿美元,2026年预计小幅增长至222亿美元,同比增长约5% [1][3] - DRAM和NAND Flash原厂重心从单纯扩产转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品 [3] - 行业无尘室空间已接近瓶颈,各大DRAM厂商中仅三星与SK hynix仍具备有限扩线空间,即使资本开支上修,2026年产能增量亦有限 [3] - 在NAND Flash领域,Kioxia/SanDisk相对扩产更为积极,其他原厂则继续专注HBM及DRAM [3]
AI驱动存储新周期 | 投研报告
中国能源网·2025-11-27 11:04