核心观点 - 全球存储市场正迎来前所未有的“三重超级周期”，DRAM、NAND和HBM的需求将在2026年同时爆发，市场规模有望在2026年同比增长98%至4450亿美元，并在2027年进一步扩大至5900亿美元 [1] - 超级周期将持续至2027年，核心驱动力是强劲需求增长与有限供应扩张之间的供需错配，预计将推动存储芯片价格大幅上涨，并使制造商的营业利润率重回历史高位 [1] 市场规模与增长预测 - 全球存储市场规模预计在2026年同比增长98%至4450亿美元，并在2027年进一步扩大至5900亿美元 [1] - 2026年DRAM和NAND的需求将分别增长30%，而HBM的需求增幅将高达63% [1] - 预计2026年DRAM和NAND的平均售价将分别跃升46%和65% [1] 需求驱动因素：AI与通用服务器共振 - AI服务器与通用服务器需求形成双重共振，是本次超级周期的核心 [3] - 在AI领域，随着英伟达推出Rubin GPU平台，HBM4的需求将在2026年开始爬坡，SK海力士预计在2026年第一季度开始出货HBM4，三星和美光科技紧随其后在第二季度跟进 [3] - 随着ASIC供应商积极扩产，HBM厂商对英伟达的单一依赖度将从2026年起降低 [3] - 在通用服务器领域，预计大型科技公司在2026年的投资将增长20%至30%，直接带动传统DRAM产品需求 [3] - 通用服务器相关内存需求预计在2026年增长约50% [2] - AI推理工作负载增加推动数据中心对高性能存储需求，企业级固态硬盘需求预计将在明年翻倍 [2] 细分市场展望：DRAM与HBM - 受强劲需求和产能优先分配给HBM的影响，商品DRAM的短缺将持续，并在2026年至2027年将其营业利润率推高至约70%的水平 [3] - HBM4的生产需要更多晶圆消耗，进一步挤占了商品DRAM的产能 [6] 细分市场展望：NAND与eSSD - 企业级固态硬盘正在成为NAND领域主要的增长引擎，预计将占到2026年NAND总需求的约40% [4] - AI工作负载从训练转向推理，市场对能够提供实时响应的高性能存储需求激增，甚至导致HDD供应短缺，加速了需求向SSD的转移 [4] - QLC技术的采用提高了SSD的成本效益和总拥有成本优势 [4] - 受传统数据中心和AI数据中心的双重存储需求驱动，加上HDD供应不足，2026年eSSD需求将增长超过100% [4] - NAND行业的营业利润率预计在2026年达到30%至40%的繁荣水平 [4] 供应端瓶颈与约束 - 由于洁净室的可用性不足，全球存储行业的供应扩张在2027年中期之前将非常有限 [5] - 自今年10月以来，DRAM现货价格已飙升200%至300%，NAND晶圆现货价格也上涨了140% [5] - 从设备安装到芯片产出通常需要较长时间，在当前向1C纳米制程过渡的技术迁移期，晶圆产能实际上会减少10%至15%，且初期良率较低，导致实际位元产出增长受限 [5] - 直到2027年之前，市场无需担忧大宗存储芯片会出现供应过剩 [6] 对下游消费电子行业的影响 - 存储芯片价格的飙升将显著推高PC和智能手机的BOM成本，进而压缩厂商利润或迫使其提价 [7] - 受成本上涨及换机需求提前释放的影响，2026年全球PC出货量可能同比下降2.8%，智能手机出货量或同比下降1.7% [7] - 对于中低端智能手机，由于存储成本在BOM中占比较高，其受到的冲击将远大于旗舰机型 [7] - 苹果凭借高利润率、强大的议价能力和长期供应协议，受存储价格上涨的影响相对较小，其供应链在2026年上半年仍有望保持适度增长 [7]