行业核心观点 - 人工智能推动内存行业进入可能贯穿2026年的历史性上升周期，DRAM和NAND正步入超级周期 [1][2][4] 价格趋势与周期分析 - 2024年11月，消费级DRAM和NAND TLC现货价格同比分别上涨408%和165% [1] - DRAM第四季度平均售价预计环比上涨35%，2026年第一季度预计环比上涨10% [1] - NAND第四季度平均售价预计环比上涨15%，下一季度预计环比上涨7% [1] - 当前DRAM上升周期已进入第5个月，平均售价较谷底上涨55% [2] - 当前NAND上升周期已进入第4个月，平均售价较谷底上涨51% [2] - 观察到巨大的现货/合约价差：DDR4为45%，DDR5为89%，256Gb TLC为47%，512Gb TLC为9%，预示着价格将进一步上涨 [2] - 以4GB DDR4X颗粒为例，现货价格从年初最低7美元/颗涨到11月中旬的30美元/颗以上，上涨3-4倍 [3] - 以64G eMMC闪存为例，价格从年初的3.2美元/颗上涨到近期的8美元/颗以上，涨幅接近1.5倍 [3] 驱动因素与需求端 - 生成式AI热潮及全球AI数据中心建设热潮推动内存芯片制造商将更多产能分配给高带宽内存芯片 [2] - 科技巨头（谷歌、亚马逊、Meta、微软和CoreWeave）预计2024年在人工智能基础设施上投入4000亿美元 [3] - AI繁荣恰逢传统数据中心和个人电脑迎来新的更新换代周期 [3] - 手机销量超预期加剧了非HBM内存芯片的供应紧张 [3] - 海外AI服务器对eSSD的需求增加，推动NAND闪存大幅涨价 [3] - 设备制造商正疯狂囤积内存芯片，客户普遍采取双倍/三倍下单策略 [4] 供应端与竞争格局 - 供应持续紧张是推动价格上涨的主要原因 [1] - 三星和SK海力士控制着全球约70%的DRAM芯片市场 [3] - 为应对来自中国竞争对手的成熟芯片竞争，三星和SK海力士加速向高端芯片转移 [3] - 主要厂商计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4内存颗粒的生产，将产能全面转向利润更高的DDR5、HBM等产品 [3] 受益公司与投资机会 - 美光科技和Sandisk有望持续受益于本轮上升周期 [1] - 数据中心业务占比较高的公司表现会更好 [1]