美光科技(MU.US)2026财年Q1电话会:本财年资本支出计划提升至约200亿美元 用于提升HBM产能
Micron TechnologyMicron Technology(US:MU) 智通财经网·2025-12-18 11:20

公司财务业绩 - 2026财年第一季度总营收达136亿美元,环比增长21%,同比增长57%,创公司历史新高 [1] - 第一季度综合毛利率为56.8%,环比提升11个百分点,主要驱动因素为价格上涨、成本控制及产品组合优化 [1] - 第一季度非GAAP每股摊薄收益为4.78美元,环比增长58%,同比增长167% [1] - 第一季度自由现金流创季度历史新高达39亿美元 [1] - 公司给出第二季度毛利率指引为68%,环比提升11个百分点,较之前纪录高出7个百分点 [8] 行业供需与市场展望 - 持续强劲的行业需求叠加供应限制,正推动DRAM与NAND全行业供应趋紧,预计该市场趋紧态势将延续至2026年之后 [1] - 行业总供给在可预见的未来仍显著低于需求,供需缺口巨大,公司仅能满足关键客户约50%至三分之二的需求 [2][4] - 由于客户AI数据中心建设计划,内存与存储需求预测大幅攀升 [1] - 2025年DRAM位需求增长预期上调至20%左右(原预期15%以上),NAND位需求增长预期为15%以上(原预期10%-15%) [1] - 2026年DRAM和NAND行业出货量预计较2025年增长约20% [1] - 预计2025日历年度服务器设备增长率将达两位数高位区间,2026年需求持续强劲 [2] HBM(高带宽内存)业务 - HBM需求激增,与DDR5的比率为3:1且持续扩大,加剧了供应压力 [2] - 公司已就2026日历年全部HBM产品(包括HBM4)的价格与供货量达成协议 [2] - 公司上调HBM收入预测,预计到2028年市场规模将达到1000亿美元,这比之前的预测提前了两年 [5][6] - 公司预计HBM市场年复合增长率为40% [8] - 公司在第三季度已实现HBM份额与DRAM份额一致 [7] - 2026年HBM供应将紧张,公司2026年HBM业务将实现强劲的同比增长 [5][7] - HBM4进展顺利,预计在第二季度左右开始增加产量,其性能行业领先,超过11千兆比特/秒 [5][6] - HBM3E功耗比业内任何竞争对手低30% [6] 数据中心与企业业务 - AI数据中心容量增长显著拉动高性能、大容量存储器需求 [2] - 公司提供HBM、大容量服务器内存及数据中心SSD等差异化解决方案 [2] - 数据中心SSD产品线增长强劲,首款PCIe Gen 6 SSD正获得快速认证 [2] - 企业SSD业务环比增长强劲,是数据中心业务组合的重要组成部分 [6] - AI从训练到推理的快速演进,以及AI模型和应用的快速演进,正在推动企业SSD的更大增长,这确实是由生成式AI推动的 [6] 资本支出与产能规划 - 2026财年资本支出计划从此前预估的180亿美元提升至约200亿美元 [2] - 增资主要用于提升HBM产能及2026日历年1-gamma产品供应能力 [2] - 从2025年到2026年,实体建筑资本支出计划大约翻倍,预计2027年资本支出会增加 [3] - 公司正加速设备下单和工厂建设,并投资于现有及新增产能(如爱达荷州和纽约工厂) [4] - 技术节点转型是2026财年供应增长的主要来源 [4] - 公司讨论在2026年增加1 gamma DRAM和G9 NAND的供应,这些增产进展顺利 [5] 客户合同与定价策略 - 公司正与数家关键客户推进包含具体承诺的多年度合同谈判,涉及DRAM与NAND,这些合同与此前的长期协议有很大不同,包含了更强的合同结构 [2][3][9] - 讨论中的多年度合同也包含了数据中心SSD,不仅涉及数据中心客户,也涵盖各个细分市场的多个客户 [6] - 客户对能否长期获得充足内存供应感到担忧,这正导致建设性的对话,合同本质上是多年期协议 [9] - 公司2026年的HBM在数量和价格上已完成与客户的谈判 [10] - 公司强调其HBM具有强劲的盈利能力,并非常注重投资回报,非HBM业务也表现出健康的盈利能力 [10] 成本与毛利率展望 - 公司在DRAM和NAND方面的成本执行很好,获得了一些规模效应,支出控制非常好,良率也很好 [4] - 新工厂、新建设的启动成本将在2026年下半年到2027年开始产生,但以目前业务的规模来看,这对毛利率的影响相对较小 [4][5] - 预计毛利率在第二财季之后会继续扩张,但增速将比过去几个季度更为平缓 [8] - 公司认为建设性的市场环境将在全年持续,同时在成本方面执行得很好,并将产品供给市场中价值最高的部分 [8] 产品与技术进展 - HBM4的整体良率提升非常满意,并预期其良率提升速度将快于HBM3E [5] - 2026年将同时提供HBM3E和HBM4产品组合,两者都将在2026年营收中占据重要地位 [5] - 1 gamma DRAM和G9 NAND的增产进展顺利,并将随着这些节点的量产成为成本的有利因素 [5] 终端市场需求 - 在一些消费市场,单位需求可能会受到内存价格的影响,例如在智能手机和PC领域,客户可能会调整其产品组合以应对可获得的供应 [10] - 从数据中心到边缘设备(包括智能手机、PC等)的AI体验确实需要更多内存,AI正在驱动内存容量的增加和需求的增长 [11]