中国EUV光刻机原型研发进展 - 中国科学家在深圳某高安全级别实验室成功构建了极紫外光刻机原型 这一进展被描述为“华盛顿多年来试图阻止”的成果 [1] - 该原型机由来自荷兰ASML公司的前工程师团队利用从二级市场获得的旧ASML设备部件 通过逆向工程方式建造 [2] - 该原型机目前尚未能生产出可工作的芯片 但政府设定的目标是在2028年前利用该设备制造先进集成电路 而项目内部人士认为2030年是更现实的目标 [5] 技术突破的战略意义与影响 - 分析认为 如果成功 中国将在与美国的地缘政治竞争中“大幅”增加其杠杆 掌握EUV技术的优先用途将是国防领域 [3] - 此次潜在突破凸显了EUV机器处于美中科技战的核心 掌握该技术将表明中国比西方预期提前数年接近实现半导体自给自足的目标 [3] - 随着半导体梦想成为国家安全问题 不应低估中国在逆向工程EUV光刻机方面的雄心和全力投入的方式 [4] EUV技术的关键作用 - EUV系统对于生产3纳米及以下工艺节点的强大芯片不可或缺 制造的电路越小 芯片性能越强大 [6] - 中国寻求掌握极紫外光刻技术 旨在增强其生产先进半导体的能力 [5]