募资295亿元!长鑫科技闯关科创板,夹缝中挑战DRAM三巨头
华夏时报·2025-12-31 20:14

公司上市与募资计划 - 长鑫科技集团股份有限公司于12月30日正式向上交所科创板递交招股书,拟募资295亿元,保荐机构为中金公司和中信建投 [2] - 公司成立于2016年,产品覆盖DDR和LPDDR两大主流系列,2019年首次推出自主8Gb DDR4产品,实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破,目前已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品迭代 [3] - 募资投向明确:75亿元用于存储器晶圆制造量产技术升级改造项目,130亿元用于DRAM存储器技术升级项目,90亿元用于DRAM前瞻技术研究与开发项目 [6] 股权结构与股东背景 - 公司共有60名机构股东,最大股东为持股21.67%的清辉集电,其中合肥市国资控制的长鑫集成占据其近一半份额 [3] - 长鑫集成直接持有公司11.71%股份,为第二大股东;安徽省投持股近8%,为第五大股东 [3] - 其他重要股东包括大基金二期、阿里、腾讯、小米产投等 [3] 财务表现与研发投入 - 2024年前三季度,公司营收约320亿元,相比去年同期近乎翻倍 [4] - 2024年前三季度,公司归母净利润为亏损52.8亿元,但相比去年同期收窄了1.79% [4] - 2022年至2025年上半年,公司累计研发投入为188.67亿元,占累计营业收入的33.11% [5] - 2024年研发投入63.41亿元,同比增长35.77% [5] - 2022年和2023年,研发投入占营收比例维持在50%左右高位,但2024年及2025年上半年该比例降至27%以下 [5] 行业地位与市场格局 - 存储芯片行业主要包括DRAM和NAND两种产品,市场占比大概七三开 [6] - 三星、SK海力士和美光三大巨头占据全球DRAM市场95%以上的份额 [6] - 长鑫科技是全球第四大DRAM厂商,按2024年第二季度销售额统计,其全球市场份额已增至3.97% [6] - 公司目前量产19nm DDR4,与国际最前沿的DDR5、HBM等技术存在代差,产能也存在差距 [6] 业务挑战与机遇 - 行业周期波动导致DRAM价格下跌是公司报告期内亏损的原因之一,产品单价下滑影响了收入增速并增加了存货减值损失 [5] - 行业规模导向属性导致固定资产折旧金额较大,也是影响利润的因素 [5] - 公司面临技术快速迭代的压力,但“本土化替代”和“差异化竞争”是其最大机遇 [6] - 公司可利用行业“超级周期”,抓住巨头产能转向AI芯片(如HBM)导致通用存储缺货的窗口期,快速扩充DDR4/5产能,并结合国产替代趋势服务本土市场以提升份额 [7] 发展前景与盈利预期 - 公司在招股书中预计,2026年或2027年可实现盈利 [7] - 2026年由AI需求(尤其是HBM)结构性挤占产能驱动的上涨行情预计将持续,高端服务器DRAM、DDR5等产品价格大概率维持强势 [7] - 公司长期价值逻辑在于扎根中国半导体自主可控道路,成为全球DRAM格局中不可忽视的“第四极” [8] - 公司目前在合肥和北京共有三条12英寸的DRAM晶圆厂产线 [7]