台积电2nm制程量产启动 - 台积电2nm（N2）技术已按计划于2025年第四季度投入量产，标志着先进芯片制程正式迈入2nm时代 [1][2][6] 技术架构与性能突破 - N2技术采用了第一代环栅（GAA）纳米片晶体管技术，取代了此前的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术 [3][7][9] - 与N3E工艺相比，N2在同样功耗下性能提升10%–15%，在同样速度下功耗降低25%–30% [4] - 相对于纯逻辑电路设计，N2P工艺的晶体管密度比前代N3E提升约20% [11][12] - N2工艺增加了超高性能金属-绝缘体-金属电容器，其电容容量密度相对前代提升逾2倍，Rs/Rc降低约50% [13][14] - GAA纳米片晶体管通过四面环绕电流通道改善了静电控制，降低了漏电和功耗，而堆叠结构提高了晶体管密度 [9][10][15] 生产布局与客户需求 - 2nm制程的生产基地位于台湾高雄的晶圆二十二厂以及新竹的晶圆二十厂，两地并行扩产 [6][16][18] - 公司采取“双线作战”策略，同时服务于高端智能手机和AI/高性能计算芯片，两者对良率要求都极为苛刻 [19] - 公司CEO表示N2进展顺利、良率良好，预计在智能手机和HPC/AI应用推动下，2026年将实现更快的产能爬坡 [20] - 客户需求强劲，预计N2将首先覆盖高端手机与HPC/AI需求，苹果、英伟达、AMD等顶尖科技巨头均表现出浓厚兴趣 [20] 技术路线图与行业竞争 - 公司计划推出N2P作为N2家族的延伸，进一步优化性能与功耗，计划于2026年下半年起量产 [21] - 面向HPC/AI的下一步先进制程A16采用超级电轨背面供电技术，同样计划于2026年下半年起量产 [21] - 主要竞争者三星已于2022年6月在其3nm制程中率先将GAA晶体管架构投入量产 [23] - 英特尔在其Intel 18A节点中引入RibbonFET与PowerVia技术，该节点已于2025年进入早期生产阶段，预计2026年扩大产能 [23][25] - 英特尔18A与台积电N2同属GAA世代，但前者策略更激进并率先应用于高复杂度CPU，后者策略更稳健并先实现大规模量产 [25]