全球存储芯片市场现状与驱动因素 - 全球存储芯片市场正经历前所未有的价格暴涨周期，核心驱动在于人工智能浪潮导致的结构性供需失衡 [2] - 2026年第一季度，DRAM原厂将大规模转移先进制程产能至服务器与HBM应用，导致消费电子、移动设备等领域的通用型DRAM供给严重紧缩 [2] - 自2024年底以来，部分内存模组现货价格涨幅惊人，其中DDR4 16Gb模块价格在一年内飙升约1800% [2] - 有消息称，三星电子与SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM价格较2025年第四季度提升60%~70% [1][2] - 存储涨价势头目前仍看不到丝毫缓和的迹象 [1][2] 资本市场反应 - 涨价预期下，资本市场大力追捧存储原厂，三星电子股价2025年以来已涨超160%，2026年1月以来涨超15%并续创历史新高 [2] - SK海力士股价2026年1月以来涨逾11%，距离刷新历史高点只差6% [2] - A股半导体设备板块迎来强势上涨，2026年1月6日，北方华创、拓荆科技、中科飞测等设备龙头股盘中集体刷新历史高点 [1][3] - A股存储器指数强势拉升，普冉股份、恒烁股份、北京君正、兆易创新等多只成份股涨幅居前，金海通收盘涨停并创历史新高 [3] 国内存储产业机遇与长鑫科技 - 国内存储产业正迎来关键发展窗口，海外原厂将资本开支倾斜于HBM等高端产品，导致传统存储供需缺口持续，国内厂商扩产紧迫性上升 [4] - 长鑫科技作为全球第四大DRAM原厂，其IPO已获受理，拟募资295亿元投向技改与研发 [1][5] - 长鑫科技在本轮上行周期中业绩显著改善，2025年营收预计达550亿至580亿元，第四季度毛利率有望突破40%，并可能在2026年实现扭亏为盈 [4] - 公司目前拥有合肥与北京三座12英寸晶圆厂，预计2026年全部达产，产品已覆盖DDR5、LPDDR5X等主流技术平台 [4] - 2025年第三季度，全球DRAM市场由SK海力士、美光、三星寡头垄断，三家合计市占率超90%，长鑫存储市占率不到6%，具备大幅提升空间 [5] 国产半导体设备与材料产业链受益逻辑 - 市场普遍预期，存储涨价周期叠加国内存储厂商扩产提速，国产半导体设备板块将率先受益，业绩确定性凸显 [1] - 长鑫科技的产能爬坡与技术追赶，被视为拉动国产设备与材料环节需求的关键力量 [1] - 多家机构指出，国产半导体设备与材料企业将直接受益于国内存储原厂的高稼动率与持续扩产计划，尤其在前道制程、量测、清洗、CMP等已实现突破的环节 [3] - 设备企业订单能见度正在提升，伴随需求持续释放，原厂扩产必须率先采购设备，设备企业的业绩能见度较高 [3] - AI驱动的HBM和高端存储需求，创造了结构性而非周期性的设备投资机会，3D NAND堆叠与DRAM技术迭代使得刻蚀、薄膜沉积等核心设备的使用量和价值量大幅提升 [5] - 随着龙头企业产能规模提升与技术迭代，本土具备卡位优势的设备与材料厂商将迎来订单放量机会，国产替代进程将在存储领域进一步提速 [5] 长鑫科技募投项目具体规划 - 长鑫科技拟募集资金295亿元，主要用于量产线技改、DRAM技术升级及前瞻技术研发三方面 [5] - 量产线技改项目将投入75亿元，逐步向中高端产品切换工艺，并同步推动本土设备、材料、零部件的合作，其中设备购置安装费用约46.66亿元 [5] - DRAM技术升级项目总投资180亿元，其中设备购置安装占174亿元，计划2025年第四季度启动采购，2026至2027年分批完成设备搬入 [5] - 这些项目大部分设备导入预计在2027年底前完成，2028年上半年进行验收 [1][5]