文章核心观点 - 半导体材料板块在2026年初持续走强，其强势表现由政策、需求与技术三大核心因素共振驱动，行业正迎来从“单点突破”向“全面突围”的历史性跨越，进入黄金增长期 [1][3][24] 三重驱动逻辑 - 需求爆发：AI算力革命与全球晶圆厂扩产潮形成双轮驱动。全球AI服务器2026年出货量预计突破300万台，带动HBM、Chiplet等技术应用，使每片晶圆材料用量翻倍 [4]。2024年全球投入运营48座晶圆厂，2025年新建18座，其中15座为12英寸产线。中国大陆2024-2027年300mm晶圆厂将从29座增至71座，占全球比重近30% [5] - 技术突破：成熟制程领域（如8英寸硅片、抛光液、靶材）国产化率已超40% [6]。先进制程领域（如12英寸硅片、ArF光刻胶）已实现小批量供货，并向14nm及以下工艺进军 [6]。第三代半导体材料（碳化硅、氮化镓）开辟新增长赛道，氮化镓年复合增长率保持25%以上 [6] - 政策护航：商务部对日本进口二氯二氢硅发起反倾销调查，为国产替代打开验证窗口期 [8]。国家大基金三期规模达3440亿元，重点投向核心技术与关键零部件等“卡脖子”领域 [9][10] 细分赛道竞争格局与国产化进展 - 硅片：占半导体材料市场份额37%，全球前四大厂商市占率超80% [11]。12英寸高端硅片日本两巨头合计市占率超90% [11]。国内8英寸硅片国产化率较高，12英寸硅片整体国产化率约10%，但2025年产能快速释放 [14] - 光刻胶：全球市场日本四大厂商合计占80%份额 [14]。ArF光刻胶（14-28nm）前四大厂商市占率92%，EUV光刻胶（7nm及以下）日本企业全球市占率超95% [14]。国内G/I线光刻胶国产化率超40%，KrF光刻胶约10%，ArF光刻胶不足1% [14] - 电子特气：全球市场日美企业合计占82%份额 [14]。国内整体国产化率约25%，但高端刻蚀气、掺杂气国产化率不足20%，先进制程所需7N级以上高纯度气体进口依存度达70% [15] - 其他关键材料：溅射靶材高端产品国产化率不足5% [17]。光掩模领域28nm及以下高端产品国产化率不足5% [17]。CMP抛光液国产化率达30%，抛光垫仅20% [18] - 国产化率总结：高替代（30%-55%）环节包括8英寸硅片、抛光液、G/I线光刻胶等；中替代（10%-20%）环节包括12英寸硅片、大宗电子特气、KrF光刻胶等；低替代（不足10%）环节包括EUV光刻胶、EUV光掩模、高端电子特气、ABF基板等 [20] 投资机会方向 - 高端攻坚型：瞄准国产化率不足10%的核心环节，替代空间最大。包括ArF/EUV光刻胶的规模化量产与技术突破、钽靶/钨靶等先进制程专用靶材、以及六氟丁二烯/锗烷等高端电子特气 [22] - 政策受益型：直接承接贸易政策调整红利。包括二氯二氢硅等工艺化学品、光刻胶上游原料（树脂、光引发剂）、以及受日本产能收缩影响的氟系电子特气 [23] - 需求爆发型：受AI与扩产驱动需求指数级增长。包括12英寸硅片、第三代半导体材料（碳化硅、氮化镓）、以及CMP抛光液与抛光垫 [24]