文章核心观点 - AI算力需求驱动半导体产业变革，半导体设备作为上游“卖铲子”的赛道迎来确定性爆发 [1] - 全球半导体设备销售额预计将持续创纪录增长，主要受AI相关投资、存储技术升级及厂商扩产推动 [2] - 存储芯片技术向3D堆叠演进，对刻蚀、薄膜沉积、混合键合等核心设备的需求激增，并带动国产设备厂商在多个细分领域取得进展 [5][6][13] 全球半导体设备市场增长趋势 - 预计2025年全球半导体制造设备总销售额将达到创纪录的1330亿美元，同比增长13.7% [2] - 预计2026年和2027年销售额将分别达到1450亿美元和1560亿美元，增长主要受AI相关投资推动 [2] - 晶圆制造设备（WFE）领域2025年预计增长11.0%，达到1157亿美元，较此前预测上调，反映DRAM和HBM领域投资超预期 [2] - 预计2026年韩国将重回全球芯片设备支出第二位，达到约296.6亿美元，较2025年预计的233.2亿美元增长27.2% [4] - 预计2026年中国大陆在半导体设备领域的投入将稳居全球首位，达到约392.5亿美元 [4] 存储市场与厂商扩产驱动设备需求 - 2025年存储市场涨价潮、HBM与DDR5需求爆发及全球巨头扩产，共同拉动半导体设备需求 [2] - 长鑫募集资金重点投向存储器技术升级等项目，拟投入205亿元人民币，直接带动设备市场需求 [3] - 三星电子提高DRAM和NAND生产线效率，专注HBM制造，并重启平泽第五工厂建设，计划2028年量产 [3] - SK海力士清州M15X新工厂准备投产，专注DRAM及AI存储方案，并计划在2027年前完成龙仁园区内大规模晶圆厂建设 [4] - 三星电子DRAM月产能为65万片晶圆，SK海力士月产能为50万片，加上M15X芯片后为55万片 [4] 存储技术升级驱动的核心设备需求 - 3D NAND层数突破400层并向1000层迈进，DRAM向垂直通道晶体管（VCT）演进，HBM通过硅通孔（TSV）技术实现垂直互联，对设备提出颠覆性要求 [5] - 3D NAND扩产和DRAM技术演进对刻蚀和沉积设备拉动最强，HBM扩产额外提升光刻、原子层沉积（ALD）、混合键合等设备需求 [6] - 刻蚀设备：在3D NAND制造中加工极深沟道孔洞、台阶等结构，层数增加使刻蚀设备用量占比从34.9%升至48.4%；单步刻蚀时间随深宽比提升而翻倍，设备数量需求增加；加工HBM的TSV（HBM4达2048个接口）使刻蚀工序增多 [8] - 薄膜沉积设备（含CVD、PVD、ALD等）：3D NAND层数增加使沉积步骤同步增加，设备需求翻倍；ALD设备在3D NAND产线资本开支占比从2D时代的18%升至26%；HBM堆叠层数增加需要更多ALD设备进行互联层沉积 [8] - 混合键合设备：HBM堆叠层数提升（未来向24+层迈进）推动需求；HBM3/3E（8~12层）已推动热压键合设备需求，未来HBM4+（16+层）需依赖混合键合技术；3D IC和先进封装技术普及及异质集成需求增长 [8] - SEMI预测2026-2028年间全球存储领域设备支出将达1360亿美元，其中3D NAND相关投资占比超40% [10] 关键设备技术细节与市场影响 - 3D NAND层数从32层提升到128层时，刻蚀设备使用量占比从34.9%上升到48.4% [10] - 随着堆叠层数升高，沟道通孔、狭缝和接触孔的刻蚀加工时间会变长甚至翻倍，导致工艺设备数量需求增加 [10] - 从24层到232层3D NAND，每层均需薄膜沉积工艺步骤，催生更多薄膜沉积设备需求 [11] - 东京电子披露，在Flash芯片产线资本开支占比中，薄膜沉积设备在2D时代占比为18%，在3D时代占比为26% [11] - HBM对光刻设备需求升级：DRAM第六代制程（D1c）规模化应用EUV光刻；HBM的TSV接口倍增与线路微米级间距推高EUV光刻需求优先级 [12] - 混合键合设备是HBM制造关键：现阶段HBM3/3E主要依赖热压键合设备；未来层数进一步增加及总高受限将推动混合键合技术成为关键 [12] 中国半导体设备国产化进展 - 刻蚀设备主要代表厂商有中微公司、北方华创、屹唐半导体等 [14] - 中微公司CCP设备覆盖28纳米以上大部分应用，在28纳米及以下节点取得进展，其3D NAND高深宽比刻蚀技术被全球顶级芯片制造商采用 [14] - 北方华创CCP设备在8英寸产线硅刻蚀、介质刻蚀中占主导地位，并成功应用于12英寸产线关键非核心步骤 [14] - 薄膜沉积设备厂商包括北方华创、拓荆科技、中微公司、微导纳米等 [15] - 拓荆科技形成PECVD、ALD、SACVD等薄膜设备系列产品，客户覆盖中芯国际、华虹集团等 [15] - 中微公司为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等多款薄膜设备已顺利进入市场 [15] - 北方华创是国内PVD龙头，在LPCVD、APCVD、ALD领域有布局 [15] - 微导纳米是国内首家将量产型High-k ALD应用于28nm节点前道生产线的国产设备公司 [15] - 键合设备方面，青禾晶元2025年发布全球首台独立研发C2W&W2W双模式混合键合设备SAB82CWW系列，并完成交付验证 [16] - 拓荆科技开发Dione 300系列晶圆对晶圆键合设备，其Dione 300 eX用于W2W高精度混合键合已发货验证；还推出芯片对晶圆混合键合设备Pleione 300，应用于HBM领域 [16] - 迈为股份成功开发晶圆混合键合、晶圆临时键合、D2W TCB键合等设备 [16] - 热压键合设备方面，青禾晶元SAB6310已成功导入头部客户CIS产线 [17] - 引线键合设备厂商如奥特维、新益昌、微宸科技等占据国内中小封测厂主要市场 [17] - 芯源微的临时键合机及解键合机专为Chiplet技术打造，可适配60μm及以上超大膜厚涂胶需求 [17]