行业供需与短缺前景 - 全球内存短缺问题在2028年之前难以得到实质性改善 [1] - 短缺由AI数据中心需求爆发与内存制造复杂度提升共同导致，行业供给边界迅速收紧 [1] - 全行业面临“产能不足”的现实，而非单一厂商的资源分配问题 [3] DRAM需求结构变化 - 数据中心与AI相关需求在整体DRAM市场中的占比已从过去的30%–40%快速攀升至50%甚至60% [3] - AI需求优先级上升并不意味着消费者被边缘化，而是总可服务市场（TAM）扩大后供给端短期内无法同步跟上 [3] - 美光强调其消费端布局更多通过OEM模式实现，仍向整机厂商直接提供LPDDR、DDR模块 [3] 生产瓶颈与扩产挑战 - 当前DRAM生产的主要瓶颈是产品规格碎片化带来的产线切换损耗，而非设备数量 [4] - 手机和PC厂商对多种容量（如8GB、12GB、16GB）的并行需求增加，导致晶圆厂需频繁切换不同设计（DID），直接拉低单位时间有效产出 [4] - 为应对AI需求，厂商需减少规格种类、延长单一产品生产周期，以最大化位元输出 [4] 新产能释放节奏 - 大幅提升存储位元产出的核心在于增加洁净室空间，而这需耗时数年 [4] - 以美光爱达荷州ID1工厂为例，投产时间从原计划2027年底提前至2027年中，但硬件上线仅是第一步 [4] - 在AI客户对技术指标和良率要求极高的背景下，新产线需经历漫长的资质认证、工具调试和客户验收流程 [4] - 预计直到2028年，完成所有认证、验收及工具到位后，才会看到有意义的成果 [4]