公司技术优势 - 公司旗下立昂东芯拥有行业内首个将栅长0.15um的功率管、低噪声晶体管、PN二极管、E/D逻辑及射频开关集成于单芯片的商业化及可量产工艺技术 [1] - 该技术融合了独立优化的0.15um Emode低噪声pHEMT与0.15um Dmode功率pHEMT，实现了同芯片内业界性能领先的功率放大器和低噪声放大器 [1] 工艺技术组合 - 公司拥有包括0.15um、0.25um的GaAs pHEMT工艺技术和GaN HEMT工艺技术在内的多种技术 [1] - 这些技术既可应用于卫星通信领域，也可应用于地面通信终端通信 [1] 产品应用与市场进展 - 公司应用于低轨卫星通信的芯片已实现大批量出货 [1] - 公司应用于地面通信终端的芯片已通过客户验证 [1]