战略合作协议核心内容 - 天域半导体与青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司于2026年1月16日交易时段后订立战略合作协议 [1] - 协议旨在建立战略合作，共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代 [1] - 合作涉及的键合材料包括键合碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸(12英吋及以上)SiC复合散热基板 [1] 合作基础与目标 - 合作将凭借天域半导体在碳化硅材料领域的优势及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力 [1] - 合作旨在结合天域半导体在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识 [1] - 合作目标为促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺 [1] 预期合作效益 - 预期合作将提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力 [1] - 预期合作将确保设备稳定性 [1] - 预期合作将进一步巩固集团的市场地位 [1]