公司技术突破 - 控股子公司合肥露笑半导体在8英寸导电型碳化硅衬底研发与产业化领域取得重大突破，核心技术指标达到行业先进水平 [1] - 公司已全面掌握8英寸导电型碳化硅晶体生长工艺，成功生长出高质量晶体，结晶质量高、晶型控制稳定 [1] - 在微管密度、表面粗糙度、位错密度、电阻率分布均匀性等关键参数上，公司均已达到或优于行业主流标准，其中微管密度极低 [1] - 公司拥有自主知识产权的晶体生长设备和核心技术，实现了从晶体生长到衬底加工的全产业链技术布局 [1] - 公司已建立起可重复的8英寸碳化硅衬底制造工艺体系，技术成熟度高 [1] 公司战略与规划 - 基于技术突破，公司已制定清晰战略规划：在合肥基地一期项目顺利投产基础上，积极筹划二期扩产项目 [2] - 二期扩产项目将重点聚焦于8英寸碳化硅衬底产线建设，旨在快速形成规模化生产能力 [2] - 扩产旨在满足新能源汽车、光伏发电、储能及工业控制等领域对高性能8英寸碳化硅衬底日益增长的市场需求 [2] - 公司将持续加大研发投入，进一步优化8英寸导电型碳化硅生产工艺，在提升产品性能的同时推动制造成本下降 [2] - 公司还将前瞻性布局下一代碳化硅技术，积极探索更大尺寸衬底的研发方向，以巩固核心竞争优势 [2] 市场合作与行业意义 - 随着8英寸碳化硅衬底产品逐步成熟，公司将积极与国内外知名功率器件厂商及终端应用客户开展深度合作与产品验证 [2] - 公司计划深化上下游战略协同，共同推动碳化硅技术在更多领域的广泛应用，加速国产替代进程 [2] - 业内人士认为，8英寸碳化硅衬底被视为第三代半导体实现规模化应用和成本优化的重要方向 [2] - 公司在8英寸碳化硅衬底领域取得的阶段性成果，不仅是公司自身发展的重要节点，也为我国半导体材料自主创新提供了有力支撑 [2] - 未来，随着产能建设推进和应用验证深化，其产业化进展值得持续关注 [2]